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  • 海力士內存條怎么樣(深度測評其產品性能)


    在CES 2020大展上,韓國DRAM和NAND閃存巨頭SK海力士(SK Hynix)展示了最新的存儲創新技術。在他們的展臺上,最吸引人的莫過于“4D NAND”技術,以及首批基于該技術的消費級產品。

    4D NAND作為一個概念最初于2018年8月上線,自然它沒有涉及到第四維度。傳統的3D NAND芯片主要使用電荷捕獲型閃存堆棧,該堆棧在空間上位于外圍模塊旁邊,該外圍模塊負責將所有這些CTF堆棧布線。在4D NAND中,外圍塊與CTF堆棧本身堆疊在一起,從而在2-D平面上節約了空間,以便用于增加密度。

    Rn41oNWAlZf0y0?from=pc在CES 2020展臺上,外媒TechPowerUp發現了兩款使用128層4D NAND的客戶端細分硬盤–Platinum P31 M.2 NVMe和Gold P31 M.2 NVMe。從技術角度上來說,Platinum P31和Gold P31是相同的,只是容量(也包括耐用性)上存在差異。

    Rn41oNz91g5YJn?from=pc兩者都采用PCI-Express 3.0 x4和NVMe 1.3驅動,完全使用自家硬件構造,當然主控、DRAM緩存和128層4D NAND閃存等均是由SK Hynix自己制造。

    Platinum P31僅具有2 TB的容量和1,500 TBW的耐用性; Gold P31的容量為500 GB和1 TB,分別為375 TBW和750 TBW。兩個驅動器均提供高達3500 MB / s的順序讀取和高達3200 MB / s的順序寫入。

    Rn41oOb4y7Q4W6?from=pc此外SK海力士還展示了最新一代的DDR5 RDIMM。 RDIMM專為下一代企業平臺(例如英特爾“ Sapphire Rapids”)而設計,頻率為DDR5-4800 MHz,最高可以提供64 GB的密度。

    Rn41oP75mepSI0?from=pcRn41oszC0bQOII?from=pcSk海力士還提供了最新的LPDDR4X和原型LPDDR5存儲解決方案,旨在為下一代5G智能手機和超便攜式計算機提供澎湃動力。展臺還現場演示了使用LPDDR4X解決方案和UFS 3.0存儲的智能手機,利用手機的前置攝像頭并立即生成4個高質量的濾鏡效果(這需要巨大的處理能力和存儲帶寬)。

    LPDDR4X已經將數據速率推向了4,667 MT / s DDR,而LPDDR5將會從5,500 MT/s起步,并且會比LPDDR4X提供更低的功耗。

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